TT570N14KOF

TT570N14KOF,TT570N14KOF图片。

半桥(2单元)

产品型号 参数说明 封装形式

FF600R17KE3_B2 600A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm

FF600R17KE3 600A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm

FF600R17KF6C_B2 600A , 1700V , IGBT2 IHM 130 mm

FF650R17IE4 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2

FF650R17IE4D_B2 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2

FF800R17KE3_B2 800A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm

FF800R17KE3 800A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm

FF800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2 IHM 130 mm

FF800R17KP4_B2 800A , 1700V , IGBT4 IHM 130 mm

FF1000R17IE4 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3

FF1000R17IE4D_B2 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3

FF1200R17KE3_B2 1200A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm

FF1200R17KE3 1200A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm

FF1200R17KP4_B2 1200A , 1700V , IGBT4 IHM 130 mm

FF1400R17IP4 1400A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3

 PDF中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口*现货价格，产品库存状况。（如有需要 敬请“安科半导体"，可提供）

600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块：

DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V；

DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V；

KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V；

KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V；

KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V；

，可控硅，infineon , eupec 。