德国HBM U2A/20T

【广州★洋奕】德国HBM U2A/20T称重传感器，人生苦短，秋是一次繁华的落幕。该凋落的忽喇喇凋落，该潜藏的静悄悄潜藏。生时如夏花般绚烂恣肆。死时，袒露落叶一般的静美。能把这一切看明白，学会淡然处事，学会淡然处世。我忽然觉得自己很平静。（有意者，请搜索“广州洋奕”跟销售——黄工了解更多，谢谢！）

由实部、虚部分别相等，并经整理可得交流电桥的平衡条件为

因此，对这种交流电桥，除要满足电阻平衡条件外，还必须

满足电容平衡条件。为此，在桥路上除设有电阻平衡调节外应还设电容平衡调节。

设初始时，Z1 =Z2 =Z0，R3 =R4 =R，则当被测应力变化引起Z1=Z0+∆Z, Z2=Z0-∆Z变化时，由式(2．64)，电桥开路输出电压为

2．3压阻式传感器

压阻式传感器是利用半导体材料的压阻效应制成的传感器。硅晶体的压阻效应，1954年由C. s.Smith首先发现，1956年贝尔实验室硅力敏电阻，此后压阻传感器开始问世。由于硅晶体具有显著的压阻效应，早期的压阻传感器是利用半导体应变片制成的粘贴型压阻传感器，即半导体应变式传感器(又称体型压力传感器)。

20世纪80年代采用集成电路技术制造压阻式传感器获得了*的发展，研制出周 边固支的力敏电阻与硅膜片一体化的硅杯式扩散型压阻式传感器。它具有尺寸小、滞后 和蠕变小、动态响应快、测量精度高、稳定性好、工作温度范围宽、易于批量生产及使 用方便等特点，且能把应变电阻条、补偿线路、信号调整以及计算机处理电路集成在一 块硅片上，制成“智能式传感器”，是一种发展非常迅速的新型传感器。

压阻式传感器主要用于测量力、压力、加速度、载荷和扭矩等参量。

2．3．1压阻效应

半导体材料受到外力作用后，除了产生一定的应变外，其电阻率也要发生变化，这 种由于应力的作用而使半导体材料电阻率发生变化的现象称为半导体的压阻效应。 压阻效应的微观理论建立在半导体的能带理论基础上(本书不再进行讨论)，从宏 观上它仍可用金属丝电阻应变片方程来描述

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这是实验中测得的数据，此时环形传感器转速为7. 6r/m i n ，由于此时传感器速度大于7r/m i n ，所以这时报亮，如果转速小于7r/m i n ，则报不亮。此时可以看出元件共有12个，金属元件有7个，在下面是由霍尔传感器测得的方波，在这次将采样频率调到4000，采样点数调到4000.

五、小结

本次的实训虽然只有短暂的一周，但我从中获益颇多。首先，我明白了我们不仅要学好理论知识，更要学会将理论运用于实际中。光学好理论知识并不行，理论与实践中存在中很大差距，所以要想运用于实际中，要深刻理解书本知识，还要活学活用，懂得联想与创新。在这次实训中让我对于传感器的应用有了更深的感触。其次，我还懂得了团队合作的重要性，一个人的思维是有限的，只有大家齐心协力，共同创作，互相弥补，才能达到高的效率。我们小组的题目是：环形传送带转速测量和计数系统。基于环形输送带模块，设计一个测量系统，能对通过某工位的元件按照材料（金属或非金属）进行计数：并测量输送线的转速，转速只能处于一个速度范围之内，若超出，则报警，并输出一个数字停止信号。另外，软件能对转速大小进行控制。在实训中我们小组遇到了许多困难，比如对于霍尔传感器与光电传感器，电涡流传感器是模拟信号还是数字信号问题，然后就是l ab vi e w 的程序设计，对于我们来说l a bv i e w 程序编程合适要求的程序是一个大难题，我们不懂的地方就去询问老师和同学，结合题目的要求一点一点地编写和修改，组长承担了主要的编写任务，在付出了诸多的努力和汗水之后，终编写了出了正确的程序。经过这次实训明白了自己的实践能力还十分的不足，缺乏锻炼，所以在日后的学习过程中，我应该努力的将理论与实际联合起来，着重锻炼自己的动手能力，使自己面对以后的工作时有一定的底气与信心。

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岁月的风儿，拂过指尖，送来无边的思念。在这秋高气爽中暖意绵绵，流淌着的岁月，不乏甜甜蜜蜜的挂牵。内心深处描画的春意，在有意无意中拾起了一枚枚温馨的记忆，种在岁月幽静的的山谷里。天长与地久，如若可以，只在乎与你千年万年，不在乎行程坎坷，千里*。只因为抱着一笺笺甜言，怀揣着一腔甜甜的话语。

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