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详细介绍
日本AMAYA株式会社天谷制作
用于刚性和柔性设备（如FPD）的常压CVD设备玻璃基板沉积设备
用于刚性和柔性设备（如FPD）的常压CVD设备
玻璃基板沉积设备
低温（150~300°C）处理
高质量 SiO2 成膜低应力
、等离子体损伤、小颗粒占地面积小，降低了安装和维护成本
，无需真空或等离子处理低价
特征
这是第4.5代玻璃基板沉积系统，与FPD等刚性和柔性器件兼容。
配备两个气头，有效成膜宽度为760mm，吸附式加热阶段为吸附式加热阶段，温度可控性±2%以内。
可以在4°C下在5.250代玻璃基板上以100片/小时或更高的速度沉积2nm SiO25薄膜，并且可以保证薄膜厚度均匀性在10%以内。
性能
| 均匀的薄膜厚度 | ±10% |
|---|---|
| 支持的玻璃基板尺寸 | 4.5 代 |
| 气体种类 | SiH4，O 3， PH3， B2H6 |
| 薄膜沉积温度 | 150~300°C |
主要规格
| 设备尺寸 | 1300毫米（宽） x 7350毫米（深） x 2000毫米（高） |
|---|---|
| 气头 | 配备两个有效宽度为 760 mm 的气头，用于沉积 |
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