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详细介绍
日本AMAYA天谷制作所株式会社
半导体单晶圆器A200V
采用面朝下法的高性能单晶圆常压CVD装置
A200V
薄膜厚度均匀度在±2%以内
抑制粒子生成
紧凑的设备配置
良好的阶跃覆盖率
低温工艺支持
提高可维护性
提高**性
特征
在这种方法中，晶圆沉积表面被上卡盘夹住，晶圆朝向底部，工艺气体从底部的分散头吹出形成薄膜。 卡盘提高了晶圆内温度均匀性，并提供出色的厚度均匀性，同时防止气体包围晶圆背面，防止背面沉积并防止颗粒粘附在晶圆上并进入腔室。
设备尺寸已尽可能紧凑，以*大程度地减少占用空间。
使用封闭腔室可消除气体泄漏并提高操作员的**性。
性能
| 均匀的薄膜厚度 | ≦±2% |
|---|---|
| 支持的晶圆尺寸 | ≦8英寸 |
| 气体种类 | SiH4， O 2， PH 3， B 2 H6， N 2（TEOS， TEB， TMOP，O3可选） |
| 薄膜沉积温度 | 300°C~450°C |
| 生产力 | 20张/小时（500nm成膜） |
主要规格
| 设备尺寸 | 890毫米（宽） x 2300毫米（深） x 2250毫米（高） |
|---|---|
| 加热机构 | 电阻加热 |
| 装载卸载 | 双滑块，机器人CtoC运输 |
| 分散头（气体喷嘴） | 圈 |
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