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探测器-IAV202雪崩光电二极管

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产品型号F型

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更新时间：2020-06-12 10:27:59浏览次数：523次

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长春市海洋光电有限公司

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产品简介

低噪声近红外雪崩光电探测器
• 高响应率（900nm-1700nm）
• 20-350微米直径
• 客户封装和衬底有效

低噪声近红外雪崩光电探测器

IAV202雪崩光电二极管
• 陶瓷小装配
• 其它尺寸有效
• 200微米直径
• 其它详见如下说明
产品说明
客户：任何人
NO. IAV202

详细介绍

低噪声近红外雪崩光电探测器

• 高响应率(900nm-1700nm)

• 20-350微米直径

• 客户封装和衬底有效

低噪声近红外雪崩光电探测器

IAV202雪崩光电二极管

• 陶瓷小装配

• 其它尺寸有效

• 200微米直径

• 其它详见如下说明

产品说明
客户：任何人				NO. IAV202
				类型：雪崩光电二极管
CUST. DWG		PKG.		*陶瓷的		MAT InGaAs
器件标志封装标志陶瓷的
(a) G
(b) IAV202
(C) DC
A类和/或性能特征
NO.	参数条件@23ºC±2°C		小	典型	大		单位
1	波长范围		1000		1630		nm
2	响应率@M=1 1550nm波长		0.85	0.9	0.95		A/W
3	暗电流@M=10			8	25		nA
4	工作电压V_r@M=10		43	55	67		V
5	击穿电压V_br(I_d=10µA)		50	63	75		V
6	激活区直径		200	205	210		µm
7	电容@M=10			1.8	2.2		pF
8	V_br的温度系数(23°C)			0.075	0.080		V/°C
9	带宽@M=5		0.5	1.5	2.0		GHz
10	带宽@M=10		1	1.5	2.0		GHz
11	带宽@M=20		0.5	1.0	1.5		GHz
12	过量噪声因子F@M=10			3.2	3.7
13	过量噪声因子F@M=20			5.5	6.0
14	噪声等效功率NEP@M=10			0.032	0.1		pW/Hz^1/2
15	大条件
16	工作温度范围		-40		70		°C
17	存储温度范围		-40		85		°C
18	大反向电流				1		mA
19	大正向电流		0		10		mA
20	光学输入(10ns脉冲)				>200		kW/cm²
21	光学输入(平均)				0		dBm
特殊要求
*陶瓷封装略图#13332, 200微米直径激活区。
对于每一个单位，下列数据是要求的：击穿电压@10µA。工作电压和暗电流增益=10,15和20，响应率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *试验条件@23°C±2°C