产品介绍
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 描述 关于材料碳化硅(SiC)
SiC具有的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的很好使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C (338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低，< 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到很低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。(参见第3页中的典型电路)。
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 选项
SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择，从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。
四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚（1绝缘，1接地）或3只引脚（2绝缘，1接地）。
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 特点
宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测
辐射敏感面积 A = 11,0 mm2
TO5密封金属外壳和聚光镜, 1绝缘引脚和1接地引脚
10µW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 参数
参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
光谱特性 |
峰值波长处的典型响应度 | S | 0，130 | aw |
光谱响应度的波长 | Λ | 280 | nm |
响应波长范围(S=0,1*Smax) | - | 221-358 | nm |
可见盲区(Smax/S>405nm) | VB | > 1010 | - |
一般特性(T=25°C) |
敏感面积(芯片尺寸= 0,50 mm2) | A | 11，0 | mm2 |
暗电流(1V反向偏压) | Id | 1,7 | fa |
电容 | C | 125 | pF |
短路(10µW/cm2 峰值处) | Io | 350 | nA |
温度系数 | Tc | < 0,1 | %/K |
额定值 |
工作温度 | Topt | -55...+170 | °C |
储存温度 | Tstor | –55 … +170 | °C |
焊接温度(3s) | Tsold | 260 | °C |
反向电压 | VRmax | 20 | V |
