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磁变存储器Z有潜力的代表是自旋转移力矩磁变存储器(STT MRAM)。既有动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)的高性能，又能兼顾闪存的低功耗优势。存储单元主体为磁性隧道结(MTJ)，有上下两层磁性材料(如：钴铁合金)和中间的绝缘夹层(如：氧化镁)所组成。其中一层为固定磁性层，另一层为自由磁性层。工作原理是由磁场调制上下两层磁性层的磁化方向成为平行或反平行，从而建立两个阻值各异的稳定状态。早期的磁性层磁矩平行于硅衬底表面，在尺寸缩小和成本方面缺乏竞争力。近年来结构上更优化的垂直磁矩型隧道结使得大规模制造成为可能，从而可望克服成本问题。但是此技术面临的Z挑战仍然是磁变电阻两个状态之间的电阻差异比较微弱，无法应用到大容量的多位存储技术，大规模量产尚不明朗。TDK(日本)于2014年*展出了自旋转移力矩磁变存储器的原型，容量为8Mb，读写速度是当时NOR的7倍多(342MB/s VS 48MB/s)。那么IC产品型号有哪些呢 常用IC型号大全：
MLX90614ESF-BAA-000-TU、MLX90614ESF-DCI-000-TU、MRF151G、MLX90614ESF、MAX809SN490T1G、DSPIC30F6014A-30I/PF、K9LBG08U0M-PCBO、BGT24MTR11E6327XUMA1、
EN80C196KB16、LMG7420PLFC-X、MAX3841ETG、FW82801EB-SL73Z、TMP92CF26AXBG、218S7EBLA12FG、LE82GM965-SLA5T、SIS963LUA、M-L-DEFIANTQCB2-DB、MML09212HT1、T6UJ9XBG-0002-L、STM32F407IGT6、SE742、PCI9054-AB50PI、PA136PGD、OPA656U、OPA627AU、NDV8501B2、MT5301BANU-BMSL、MSD7819-S02-L1、MN2WS0177、MC68302FC20C、LMZ31710RVQT、LM12CLK、LM3S6965-IQC50-A2、LGE3549P、INA111BU、HI3-7159A-5、EP20K60EQC208-2XN、EP2C8QC8N、EP1S20F780I6、EM8622L-LF、EM8470、DS1609、DS34RT5110SQE、DAC9881SRGET、DAC8803IDBT、DAC3482IRKDT、CLRC632、CDCLVP2108RGZT、BQ76PL536ATPAPTQ1、AT84AD001BITD、AM82801IUX、AFE4490RHAT、ADS8365IOAGR、ATMEGA256016AU、AT89C51SND1C-IL、AML7215、AFE4490RHAT
相变存储器是基于材料相变引起电阻变化的存储器。结构上有电阻加热器和相变层所组成。通入重置(RESET)写电流后，电阻加热器使得相变层温度迅速升高，在达到相变层熔点后较短时间内，关闭写电流，使得材料快速冷却，此时固定在非晶态，为高阻态。为了使相变层材料重新回到晶态，需要通入设置(SET)电流，相变层需要被加热到结晶温度和熔化温度之间，使得晶核和微晶快速生长。目前相变层材料的研究集中在GST系合金。由于重置写电流较大，相变存储器的功耗较高，另外写电流时间较长，写速度较慢。寻找新型相变材料来降低写电流，同时加快写速度和减少热扰动成为急需解决的难题。美光(美国)曾于2012年宣布1Gb和512Mb的相变内存的*量产，但是可能替代闪存的大容量相变存储器由于各种技术原因，目前尚未问世。
阻变存储器作为Z重要的下一代新型存储器，近十年来受到高度关注。阻变存储器具有结构简单、高速、低功耗和易于三维集成等优点。存储单元结构为上电极和下电极之间的电阻变化层。根据电阻变化层的材料，阻变存储器可分为氧化物阻变存储器和导电桥接存储器。前者研究较为广泛，*上已有数家公司展示了原型产品。2015年初 Crossbar(美国)宣布其阻变存储器开始进入商业化阶段，初期准备面向嵌入式市场，同时正加速进行容量更大的下一代阻变存储器研发，预计于2017年面世。美光(美国)和索尼(日本)也在开展阻变存储器的联合研发。从2007年起，每年半导体邻域的几个重要*会议(如IEDM和VLSI)均会报道 的研发进展。 2014年美光公布了27nm基于CMOS工艺制造的单颗容量16Gb阻变存储器原型，但目前距离量产仍有较大距离。大规模量产的Z挑战是实现较好的均匀性，提高产品良率和可靠性。另外，多位存储的要求对电阻变化层的材料也提出了严峻的考验。大规模提高阻变存储器容量，需要材料和结构的进一步优化和创新。
