电光Q开关
普克尔斯盒
各种不同的类型的纵向和横向普克尔斯盒，用于调制、Q开关、脉冲切片和脉冲选择。
1. 新的，超小型集成普克尔斯盒
详细规格：
| 参数 | EM508UC |
| 孔径： | 8mm |
| 波长范围： | 1064nm * |
| 半波电压 @ 1.06µm: | Approximately 6.2 kV static, 7.5kV dynamic |
| 电压： | 8kV |
| 光学上升时间: | < 1.0 ns |
| 对比度 @ 1.06µm: | > 1000:1 |
| 电容无端接的: | < ~5 pF |
| 损伤阈值： | 600 MW/cm2 |
| 插入损耗 (P-polarization): | 4% |
| 消光比： | >300:1 ** |
*标准波长1064纳米，但可选的设备可以为其他波长，取决于布鲁斯特偏振器的可用性- 515 nm、532 nm、1030 nm、1047 nm和1047 nm也是可能的。
* *偏振器有限的
2. 超微型普克尔斯盒
详细规格：
| 参数 | EM510C |
| 孔径: | 8mm |
| 波长范围: | 1030-1064nm |
| 半波电压 @ 1.06µm： | Approximately 6.2 kV static, 7.5kV dynamic |
| 电压： | 8kV |
| 光学上升时间： | < 1.0 ns |
| 对比度 @ 1.06µm: | > 1000:1 |
| 电容无端接的: | < ~5 pF |
| 损伤阈值: | 600 MW/cm2 |
| 插入损耗 with AR coatings: | 4% |
| 外形尺寸： | 25mm Æ, 43mm long |
3. 高功率BBO普克尔斯盒
典型的规格：
| 参数 | Value |
| 透射率(e.g. at 1064nm)： | >98.5% |
| 有效孔径； | 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8mm standard * |
| 半波电压 at 1064nm： | Approx. 7kV for 3x3x20mm crystal ** |
| 对比度： | >up to 30dB typically |
| 电容： | >From 5 to 10pF typically |
| 损伤阈值； | >1GW/cm2 at 1064nm (t = 10ns) |
| 可用波长： | 220nm - 2,000nm *** |
| BBO-X-20: 20mm long, 单个晶体: |
|
| BBO-X-25: 25mm long, 单个晶体: |
|
| BBO-X-40: 40mm long, 两个晶体: |
|
| BBO-X-50: 50mm long, 两个晶体: |
|
*大光圈可用但实际工作电压的局限性导致了一些限制,例如,可能需要两倍晶体盒。
* *其他晶体尺寸的电压将与孔径和反向长度成线性比例。
* * *长波长可能限制孔径因为电压的限制。
4. 100KHz RTP普克尔斯盒
详细规格：
| 参数 | Value |
| 透射率 at 1064nm： | >98.5% |
| 有效孔径： | 3, 4 and 6mm |
| 半波电压 at 1064： | 1,000V, 1,300V and 2,000V |
| 对比度： | >20dB |
| 接受角： | >1° |
| 损伤阈值： | >600MW/cm2 at 1064nm (t = 10ns) |
| 外形尺寸: | 35mm Æ, 45mm long |
5. Q-Switches KD*P 普克尔斯盒（标准产品）
详细规格：
| 型号 | EM508 | EM510 | EM512 | EM565 | |
| 孔径： | 8mm | 10mm | 12mm | 16mm | |
| 波长范围： | 0.3-1.2µm | 0.3-1.2µm | 0.3-1.2µm | 0.3-1.2µm | |
| 半波电压 (DC) @ 1.06µm： | 6.0kV | 6.0kV | 6.2kV | 6.3kV | |
| 典型的上升时间： | < 0.5ns | < 0.5ns | < 0.5ns | < 0.6ns | |
| 电压： | 10kV | 10kV | 10kV | 10kV | |
| 对比度 @ 1.06µm： | > 1000:1 | > 1000:1 | > 1000:1 | > 1000:1 | |
| 晶体长度： | 25mm | 25mm | 25mm | 30mm | |
| 电容无端接的： | 15pf | 15pf | 15pf | 20pf | |
| 损伤阈值Q-switched： | 600MW/cm2 | 600MW/cm2 | 600MW/cm2 | 600MW/cm2 | |
| 插入损耗： | 4% | 4% | 4% | 4% | |
| 终端： | H.V.BNC | H.V.BNC | H.V.BNC | H.V.BNC | |
| 表面处理： | Black anodised | Black anodised | Black anodised | Black anodised | |
| 外形尺寸： | 50mmdia.50mm long | 50mmdia.55mm long | 50mmdia.55mm long | 60mmdia.70mm long |
6. 两个晶体纵模普克尔斯盒
详细参数：
| 参数 | 性能 | |
| 孔径： | 8mm | |
| 波长范围： | 0.3-1.2µm | |
| 半波电压 @ 1.06µm： | 3.0kV | |
| 电压： | 5kV | |
| 光学上升时间： | < 0.25ns | |
| 对比度 @ 1.06µm | > 600:1 | |
| 电容无端接的： | 30pf | |
| 损伤阈值 Q-switched： | 600MW/cm2 | |
| 插入损耗： | 7% | |
| 终端： | H.V.BNC | |
| 表面处理： | Black anodised | |
| 外形尺寸： | 50mm dia. | |
| 72mm long |
另外我们还提供超快普克尔斯盒，三个电极普克尔斯盒，横向磁场普克尔斯盒。如果您需要的话，请联系我们！
7. 电光偏转器q开关
偏转器规格：
| 孔径 | 1mm | 2mm | 3mm |
| 偏转器长度 | 11m | 20mm | 25mm |
| 偏转角 for 1kV drive | 5mrad | 3mrad | 1.5mrad |
| 光损耗 ar/ar at 1.06mm | < 1% | < 1% | < 1% |
| 外形尺寸(mm, excluding connections) | 25 x 25 x 11 | 20 x 20 x 31 | 20 x 20 x 31 |
| 连接器 | SMA | SMA | SMA |
| 电容 | 50pF | 50pF | 50pF |
| 转换速度 | Driver limited | Driver limited | Driver limited |
固态20KHz驱动规格：
| 功率输入 | +9V or +12V @ 0.7A D.C. |
| 输出 | +900V pulse |
| 额定脉冲宽度 | 20 - 100ns, internally adjustable |
| 上升时间 在 50pF 电容 | £10ns |
| 触发输入 | 2 - 5V with 10ns rise time into 50W |
| 重复频率 | 0 - 20kHz |
| 外形尺寸 | 60 x 60 x 110mm |
| 连接器: Output & Trig. in | SMA |
| 脉冲发生器和偏转器之间的电缆长度 | 500mm max. |
8. HVP50/80高压普克尔斯盒Q开关驱动
| 阶梯脉冲发生器 | HVP 50/80 |
| 输出脉冲 | |
| 电压范围 | 1 - 8 kV |
| 输出电流 | 200 A |
| 电下降时间 | < 3 ns |
| 恢复时间 | 100 µs exponential |
| 输出阻抗 | 50 W |
| 电流的时间 | 200 ns |
| 重复频率 | 100Hz |
| 脉冲宽度 | 10 ns |
| 外部触发输入 | |
| 振幅 | -3 V to + 3 V |
| 前沿的极性 | Positive or Negative |
| 输入阻抗 | 50 ohm |
| 内部延迟 | 40 ns |
| 同步输出 | |
| 振幅 | ³ 3 V into 50 ohms |
| 高电压脉冲抖动 | 100 ps |
| 发生器内部效率 | |
| 重复频率 | 0.1 Hz - 100 Hz |
| 脉冲终端负载(designed to correctly terminate a 50 ohm coaxial cable) | |
| 交流阻抗 | 50 ohms nominal |
| 箱体 | |
| 体积 (W x D x H) | 330 x 330 x 100 mm |
| 重量 | 4 kg |
| 环境温度 | |
| 范围 | 0°C - 40°°C |
| Supply | |
| 电源电压 @ 50 or 60 Hz | 120 or 240 V ± 10% |
| 功率 | 50W |
| 启动输入 | |
| 消除短路保护操作 | |
