Q-开关
Q-Switches
Quantum Technology生产三种类型的普克尔斯盒，使用高质量的无应变的光电晶体材料：
1)系列-QS横向电极(TE)BBO 晶体普克尔斯盒(200 nm - 1064 nm)高速、高平均功率切换。
2)系列-QC环电极(重新)KD * P晶体普克尔斯盒(300 nm - 1064 nm)低损耗腔内切换。
3)系列-LN (TE型)铌酸锂晶体普克尔斯盒(800 nm - 2500 nm)Q-开关和调制。
1)系列-QS BBO Super-Switches低插入损耗，无共振操作，承受能力超过平均20千瓦/ cm2(CW)。AC四分之一波长的电压3毫米孔径是4.0 KV 在1064nm。腔外使用，两个晶体模型QS-3-2建议4.0 KV的半波电压。随着波长降低，这个电压线性下降。的特点是它的极低电容小于2 pF，给快速上升时间在一个50欧姆阻抗系统中。偏硼酸钡有高的损伤阈值。晶体面AR涂层是专用聚合物涂层和BBO放置在AR涂层窗口。模型QS-3是理想的Q-开关的高功率紧凑二极管泵浦固体激光器在亚纳秒速度。
2)系列-QC普克尔斯盒利用晶体含重氢的两个级别，95%的KD * P和99% 的KD * P。个类型是适合开关红宝石激光器(典型的四分之一波长电压2.2 KV)。第二种类型是有用的Nd:YAG激光器(典型的四分之一波长电压3.2 KV)。这些行业标准Q-开关在干或湿的版本是可用的。晶体是涂有聚合物涂层在干燥操作或index-matched低损耗在一个封装与AR涂层窗口。QC-10是35毫米的直径，长度是45 mms。两个晶体设备，如QC-10-2可用在大多数模型为较低半波电压操作。
3)系列-LN 普克尔斯盒内腔式Q开关的孔径9 mms(LN-9)和16 mms(LN-16)。模型LN-9需要DC切换1.5千伏的电压在1064nm。其他模型LN-16需要切换2千伏的电压在1064nm。这些都是干式AR涂层表面，AR 窗口。
4)模型QB-8是一个布鲁斯特KD * P普克尔斯盒对低损耗和高光功率处理能力为8毫米激光束。这些和其他的修改可以在所有的模型来提高其效用。
5)模型MC-10 是一种阻抗匹配KD * P普克尔斯盒为皮秒光脉冲上升时间光学脉冲发生器在终止的在50欧姆(低VSWR)和由一个合适的高压电源。MC模型仅在单晶版本可用。
6)模型LAP是一个50毫米大孔径KD * P普克尔斯盒。
7)普克耳斯盒RTP晶体可用。
普克尔斯盒规格：
| 产品型号 | 材料 | 孔径 | 对比度 | V1/4 @ 1064nm |
| QS-3 | BBO | 3mm | 2000:1 | 4.0 KV |
| QS-4 | BBO | 4mm | 2000:1 | 5.4 KV |
| QC-8 | KD*P | 8mm | 1000:1 | 3.4 KV |
| QC-10J | KD*P | 10mm | 1000:1 | 3.4 KV |
| QC-10 | KD*P | 10mm | 1000:1 | 3.4 KV |
| QC-16 | KD*P | 16mm | 1000:1 | 3.5 KV |
| QC-20 | KD*P | 20mm | 750:1 | 3.6 KV |
| QC-24 | KD*P | 24mm | 500:1 | 3.8 KV |
| LN-9 | LINbO3 | 9mm | 100:1 | 1.5 KV |
| LN-16 | LINbO3 | 16mm | 100:1 | 2.0 KV |
| QB-8 | KD*P | 8mm | 1000:1 | 3.4 KV |
| MC-10 | KD*P | 10mm | 1000:1 | 3.4 KV |
| LAP-50 | KD*P | 50mm | 250:1 | 3.9 KV |
