深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，功率循环，雪崩及浪涌测试设备，产品以高度集成化、智能化、高速、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等，客户行业涉及轨道交通，地铁，电驱动，新能源汽车，风力发电，变频器，家电等领域；华夏神州，科技兴国，智能创新，源远流长；华科智源公司核心团队由华中科技大学，复旦大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建，致力于中国功率半导体事业，积极响应国家提出的中国制造2025战略，投身于半导体测试设备国产化。
| 可测参数 | Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试 | 可测器件 | IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 |
|---|---|---|---|
| 测试频率 | 1MHz | 测试电压范围 | Vds 0~1200V，Vgs ±25V |
| 信号电压范围 | 1mV~1000mV | Rg 范围 | ≤300Ω |
| 测试精度 | 0.01pf |
华科智源结电容测试仪，可以测试MOS管，IGBT，SIC器件的栅极电阻和栅极电容，包含Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反向电容，Rg等参数，可以单点测试，也可以扫描测试曲线；
品牌： 华科智源
名称： 栅极电阻测试仪
型号： HUSTEC-CV-1200
用途： 测试MOS管结电容，Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反向电容，Rg等参数
栅极电阻/电容测试仪
可测参数： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件： IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET 等
测试频率：1MHz
测试电压范围：Vds 0~1200V，Vgs ±25V
信号电压范围：1mV~1000mV
Rg 范围：≤300Ω
测试精度：0.01pf
华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点：
1，测试速度快。
2，可点测和扫描曲线。
3，测试精度高，测试结果稳定精准。
4，可随时保存数据和波形，可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。
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