详细介绍
1769-OW16,1769-OW16
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从70年代起,主储器已逐步采用大规模集成电构成。
用得zui普遍的也是的动态随机存储器芯片(DRAM)。1995年集成度为64Mb(可存储400万个汉字)的DRAM芯片已经开始商业性生产,16MbDRAM芯片已成为市场主流产品。DRAM芯片的存取速度适中,一般为50~70ns。有一些改进型的DRAM,如EDO DRAM(即扩充数据输出的DRAM),其性能可较普通DRAM提高10%以上,又如SDRAM(即同步DRAM),其性能又可较EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的后继产品为SDRAMⅡ(或称DDR,即双倍数据速率)的品种已上市。在追求速度和可靠性的场合,通常采用价格较贵的静态随机存储器芯片(SRAM),其存取速度可以达到了1~15ns。无论主存采用DRAM还是SRAM芯片构成,在断电时存储的信息都会“丢失",因此计算机设计者应考虑发生这种情况时,设法维持若干毫秒的供电以保存主存中的重要信息,以便供电恢复时计算机能恢复正常运行。鉴于上述情况,在某些应用中主存中存储重要而相对固定的程序和数据的部分采用“非易失性"存储器芯片(如EPROM,快闪存储芯片等)构成;对于*固定的程序,数据区域甚至采用只读存储器(ROM)芯片构成
;主存的这些部分就
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不怕暂时供电中断,还可以防止病毒侵入。