详细介绍
1769-OW8,1769-OW8
,
RAM是构成内存的主要部分,其内容可以根据需要随时按地址读出或写入,以某种电触发器的状态存储,断电后信息无法保存,用于暂存数据,又可分为DRAM和SRAM两种。RAM一般使用动态半导体存储器件(DRAM)。因为CPU工作的速度比RAM的读写速度快,所以CPU读写RAM时需要花费时间等待,这样就使CPU的工作速度下降。人们为了提高CPU读写程序和数据的速度,在RAM和CPU之间增加了高速缓存(Cache)部件。Cache的内容是随机存储器(RAM)中部分存储单元内容的副本。
ROM是只读存储器,出厂时其内容由厂家用掩膜技术写好,只可读出,但无法改写。信息已固化在存储器中,一般用于存放系统程序BIOS和用于微程序控制。
PROM是可编程ROM,只能进行一次写入操作(与ROM相同),但是可以在出厂后,由用户使用特殊电子设备进行写入。
EPROM是可擦除的PROM,可以读出,也可以写入。但是在一次写操作之前必须用紫外线照射,以擦除所有信息,然后再用EPROM编程器写入,可以写多次。
EEPROM是电可擦除PROM,与EPROM相似,可以读出也可写入,而且在写操作之前,不需要把以前内容先擦去,能够直接对寻址的字节或块进行修改。
闪速存储器(Flash Memory),其特性介于EPROM与EEPROM之间。闪速存储器也可使用电信号进行快速删除操作,速度远快于EEPROM。但不能进行字节级别的删除操作,其集成度高于EEPROM
NOSVICKERS DIRECTIONAL PILOT VALVE 02-119493 DG4S4-LW-012C-B-60
NOSABBOTT SINGLE LOGIC BOARD 5-35003-01 35003-113-96
LOT (3) BOSCH A24/2-E OUTPUT MODULES 3893-I-C-B-T-V
REFURBED EG&G CLEVELAND MACH POWER SUPPLY BLS20-300-301
STI AUTOMATION PRODUCTS GROUP DCR-1003 CONTROLLER 125114
BECKMAN 660 PH/TEMP/mV METER 511220
MINIPLEX PROCESSOR BOARD CARD 900694
NOSSEFCOR 6" PIPE GROUND STUD ABGSH-69 345KV
NOSALLEN-BRADLEY 8000-TR TRCZ 8000TRCZ 900044 BOARD
NOSALLEN-BRADLEY 8000-TS TSAAZ 8000TSAAZ BOARD
NOSALLEN-BRADLEY 8000-TS TSBAZ 8000TSBAZ BOARD
NOSTEXAS INSTRUMENTS 4 POINT PARALLEL INPUT MODULE 7MT-300 7MT300
PARKER SCHRADER BELLOWS DIRECTIONAL VALVE L5255922553 110/120V
NOSEMERSON GEAR HEAD NR34S-RDCR 97387063 237124-03
NOSKAYE INSTRUMENTS ANALOG CIRCUIT BOARD U0923
LUTZE POWER SUPPLY WRA960-24 WRA96024 3PH 400-500VAC 2.4A 24VDC
NOSEMERSON GEAR HEAD NR34S-RDCR 97377038 237124-03
NOSVALVAUT 3" NICKEL COATED BRASS BALL VALVE W/ ACTUATOR Z300906
LOT (15) WIREMOLD SS BLANK END FITTINGS S4010B0