该产品是由射频电源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
产品参数：
| 产品名称 | PECVD系统 |
| 产品型号 | KJ-T1200-PE |
| 外壳 | 不锈钢 |
| 内衬 | 两层氧化铝纤维 |
| 加热元件 | 电阻丝 |
| 电源供应 | AC 208-240V，单相，50/60 Hz |
| 温度 | 1200°C (2 hour) |
| 工作温度 | 1100 °C |
| 温度均匀 | ±1°C |
| 加热和冷却速率 | ≤15 °C/S |
| 炉管尺寸 | Φ200×1400mm |
| 管材 | 优质石英管 |
| 加热区大小 | Φ250×300mm |
| 恒定温度， 区域长度 | 180mm |
| 密封 | 法兰 |
| 功率 | 8KW |
| 温度控制 | 30 个可编程段，用于精确控制加热速率、冷却速率和停留时间。 内置 PID 自动调谐功能，具有过热和热电偶断路保护。 过温保护和警报允许在没有服务人员的情况下进行操作。 +/- 1 ºC 温度精度。 |
| 准确 | ±1°C |
| 总重量 | 100Kg |
1、我公司对所供设备提供质保一年保修服务（易损件除外），在保修期内因设备质量原因造成的设备损坏或故障，均予以免费维修。保修期满后，仍提供终身的、优质的维修服务。
2、在设备使用过程中如遇故障的，我公司将尽快做出处理方案，确保设备正常运行。
3、我公司设提供免费的设备操作培训和简单故障排除维修培训。
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